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MOS管的基本參數(圖文)

時間:2019-01-21 17:01:47來源:不詳 作者:電子愛好者 點擊:
MOS管的基本參數,大家熟悉的必然是Ids電流,Ron導通電阻,Vgs的閾值電壓,Cgs、Cgd、Cds這幾項,然而在高速應用中,開關速度這個指標比較重要。  上圖四項指標,第一項是

MOS管的基本參數,大家熟悉的必然是Ids電流,Ron導通電阻,Vgs的閾值電壓,Cgs、Cgd、Cds這幾項,然而在高速應用中,開關速度這個指標比較重要。


  上圖四項指標,第一項是導通延時時間,第二項是上升時間,第三項是關閉延時時間,第四項是下降時間。定義如下圖:


  在高速H橋應用中,MOS管內部的反向并聯寄生二極管的響應速度指標Trr,也就是二極管的反向恢復時間這個指標很重要,否則容易炸機,下圖為高速二極管。


  高速下,二極管也不是理想的,二極管導通后,PN節中充滿了電子和空穴,當瞬間反向加電的時候,需要時間恢復截止,這個類似一扇門打開了,需要時間關上,但在高速下,這個關上的時間太長,就會導致H橋上下管子導通而燒壞。所以在高速應用中,直接因為MOS管工藝寄生的二極管的反向恢復時間太長,所以需要用特殊的工藝制作實現高速的內置二極管,但哪怕特殊工藝制作的,其性能也達不到獨立的高速二極管性能,只是比原MOS管寄生的指標強一些而已,但已經滿足大部分軟開關的需求了,500KHz下沒問題。比如Infineon的C6系列,后綴帶CFD的管子,內部的二極管就是高速的。
  若有些場合需要更高速的二極管,而內置的二極管性能達不到,則需要特殊的處理方式,MOS管先串聯二極管,再外部并二極管,這樣子實現,可以應用于頻率超過500KHz的場合。

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